Blanket
Blanke _ High-k (HfO2,ZrO2,Al2O3,TiO2)
300mm 실리콘 웨이퍼 위에 High-k 유전막을 증착하는 Blanket Wafer 제작 서비스입니다.제작 사양
- 웨이퍼 규격
- 300mm
- 기판
- Sub_Si
- 하부막
- LPTEOS 500Å/TiN <300Å
- 상부막
- High-k <50Å
공정 및 장비
| 단계 | 공정 | 진행 장비 |
|---|---|---|
| 01 | FN Cleaning | NSM312 |
| 02 | Oxidation | FORMULA |
| 03 | Ox SCR | NSM312 |
| 04 | ALD TiN Dep. | Triase+EX-II TiN Plus |
| 05 | TiN Dep. SCR | NSM312 |
| 06 | High-k Dep. | GUIDENCE |
| 07 | Thickness Measurement | ECHO |
| 08 | Particle Measurement | SP7XP |
유의사항
- TiN Dep. SCR은 RINSE 단독 또는 NANO 방식으로 진행됩니다.